據西安電子科技大學官網報道，西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊揭示了可剝離襯底上氮化物的成核機制，創新性開發出柔性高亮度紫光發光二極管。
   該團隊研究并發現了氮化物在石墨烯上的選擇性成核機理，找到了AlN的最佳成核位點，成功制備出高質量、無應力的GaN外延層。并通過優化剝離工藝，實現了GaN外延層的低損傷、大面積剝離轉移。基于該柔性GaN材料制備的紫光發光二極管在小電流下實現了超高光輸出功率。研究成果證明了剝離轉移可以實現GaN基柔性照明以及LED在未來實現高質量垂直結構的可能性。

   圖片來源：西安電子科技大學官網

   據了解，GaN基半導體LED照明具有高效、節能、環保、壽命長、易維護等優點，隨著可穿戴技術的發展，未來柔性半導體技術將逐步成為主流，柔性GaN 的制備成為當今國際高度關注的研究熱點。
   由于大尺寸的氮化物襯底成本高昂，氮化物薄膜通常是基于藍寶石、硅等異質材料襯底進行外延生長。而晶體襯底與氮化物之間存在嚴重的晶格失配，使得外延GaN 薄膜內具有很大的應力，并產生眾多的穿透位錯，從而導致LED器件發光效率降低。因此，低應力、高質量的GaN薄膜的制備對于LED性能的提升顯得尤為重要。
   目前，激光剝離技術是制備柔性GaN的主要方法，但是激光能量密度分布不均勻使得氮化鎵薄膜突起破裂，很難得到大面積連續無損的氮化鎵薄膜，使得GaN的柔性器件發展受到嚴重阻礙。